氮化镓器件 GaN HEMT

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氮化镓器件 GaN HEMT

Prisemi开发了P-GaN E-mode系列产品，该系列产品具有Qg小、开关速度快等特点。除此之外，使用的DFN5060、DFN8080等贴片封装适合产品小型化应用，例如30W以上的PD快充。与此同时，还开发了Cascode E-mode系列产品，该系列产品具有高栅极可靠性的特征，在封装上与超结MOS做到Pin-to-Pin，且各项参数优于超结MOS，具有较强替代性。

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Part Number	VDS (V)	VGS (±V)	ID (A)	RDS(ON)(mΩ)/Typ 10V	RDS(ON)(mΩ)/Typ 6V	VGS(th) _Typ. (V)	Package
PGC8FN70R125B	700	20	12.6	125	-	4	DFN8080-8L
PGCDP70R125B	700	20	12	125	-	4	TO-252
PGCTOF70R125B	700	20	11	125	-	4	TO-220F
PGCTO70R180B	700	20	13	180	-	4	TO-220
PGC8FN70R180B	700	20	10.4	180	-	4	DFN8080-8L
PGCTO70R240B	700	20	10	240	-	4	TO-220
PGCDP70R240B	700	20	8.5	240	-	4	TO-252
PGC8FN70R240BL	700	20	6.7	240	-	1.8	DFN8080-8L
PGC8FN70R240B	700	20	6.7	240	-	4	DFN8080-8L
PGC8N70R240BL	700	20	6.5	240	-	1.8	DFN5060-8L
PGCDP70R320BL	700	20	6	320	-	1.8	TO-252
PGCDP70R320B	700	20	6	320	-	4	TO-252
PGC8FN70R320BL	700	20	5.4	320	-	1.8	DFN8080-8L
PGC8N70R320BL	700	20	5	320	-	1.8	DFN5060-8L
PGCDP70R480B	700	20	5	480	-	4	TO-252
PGCTO65R70A	650	20	27	70@VGS=12V	-	4	TO-220
PGC8FN65R70A	650	20	21	70@VGS=12V	-	4	DFN8080-3L
PGCTL65R50A	650	20	38	50@VGS=12V	-	4	TOLL
PGCTAF65R50A	650	20	38	50@VGS=12V	-	4	TO-247-3L
PGC8FN70R160A	700	20	16	160	-	1.7	DFN8080-8L
PGC8FN70R110A	700	20	20	110	-	4	DFN8080-8L
PGC8FN65R110A	650	20	20	110	-	4	DFN8080-8L
PGC8FN65R160A	650	20	16	160	-	1.7	DFN8080-8L
PGCTOF65R160A	650	20	16	160	-	4	TO-220F