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芯导电子重磅新品--全面应对手机EOS问题

Time:2013-11-27 11:11:11

Prisemi 重磅新品:PESDHC5D7VU、PESDHC5D3V3U
全面应对手机EOS 问题

 

针对目前智能机、功能机在客户端经常出现以下问题:

a. 使用时无法充电(V_charge 端开路或者短路);
b. 无法开机(V_bat 短路或者V_bat 端漏电流很大);
c. 待机时间短、漏电流偏大;
d. Wifi 无法检测信号或敏感度降低。

Prisemi 从过电性应力(EOS)的角度发,结合电磁兼容(EMC)综合的性能要求,考虑用户终端对手机的干扰因素,分别从浪涌(Surge-IEC61000-4-5) 、 群 脉冲(EFT-IEC61000-4-2) 、 静电 (ESD- IEC61000-4-2)三方面进行测试与评估,针对某大型客户机型在客户端反馈较差的机型, 反复从抗干扰能力和改善系统设计的 角度, 从之前的单机浪涌测试DC 侧 V_Charge 不过 60V,一度将单机 浪涌 测试 DC 侧 V_Charge 提高到 150V, 并最终 通过所有测试, 一举超出目前手机类测试要求。目前基本的原理图设计如下:

 


 

 

 

 

 

 

 

 

在此期间,针对手机的系统设计要求,要求抗外界干扰能力的TVS器件:

► 贴片小封装;
► 高浪涌承受能力,即瞬态通流量大,功率大;


TVS的功率大小和芯片的面积成正比例关系,如要求瞬态通流量大,同功率情况下,只能减小TVS的截止电压,很显然上述是相互制约的。
目前可以支持的 SMD 封装有:DFN1006; SOD923; SOD523; SOD323。很显然SOD323封装较大,而且由于它的高度无法满足MinUSB其他机械设计,所以只能锁定在SOD523封装的设计要求内。要想全面解决整机系统方案,单独一颗SOD523封装的TVS在全功率的情况下,也极难满足系统150V的浪涌测试要求,只有在升级方案和升级工艺两种条件具备的情况下方可,Prisemi 在寻求工艺改进的情况下,同时寻求新的设计方案,在可控的成本设计要求内,最终大获全胜。

Prismei 在V_charge 端开发:PESDHC5D7VU, 其特点如下:
►强大的Surge能力:
       浪涌IEC61000-4-5,24A(8/20µs)
       峰值脉冲功率,400W (8/20µs)
►   EFT 保护能力:IEC61000-4-4,±4kV
►   ESD 保护能力:IEC61000-4-2,±30kV(接触),±30kV(空气)

 

Prismei 在V_bat 端开发:PESDHC5D3V3U, 其特点如下:
►强大的Surge能力:
       浪涌IEC61000-4-5,23A(8/20µs)
       峰值脉冲功率,250W (8/20µs)
►   EFT 保护能力:IEC61000-4-4,±4kV
►   ESD 保护能力:IEC61000-4-2,±30kV(接触),±30kV(空气)
上述两器件均以极低的动态导通电阻,优秀的抑制电压,满足了系统的综合设计要求,目前主要针对的系统平台有:

 

                 方案设计与整改:info@prisemi.com ;实验室预约:021-60870158-8207;样品支持:021-60870158-8301